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摘要
随着工业技术的飞速发展，大量有机污染物被应用于生活的各个领域，由此带来了严重的环境问题。众所周知，半导体光催化技术是一种有效且环境友好的降解去除典型污染物的方法，而光催化剂在该技术的应用中起着关键作用。因此，在光催化污染物降解领域，人们已经尝试研究了各种半导体材料。其中石墨相氮化碳(g-C3N4)是近年来公认的“明星”材料之一。因其独特的二维层状结构和良好的可见光响应而引起了人们的极大兴趣。由于带隙较窄(～2.7 eV)、能带结构可调以及良好的物理化学稳定性，g-C3N4对太阳光谱的吸收可达450 nm，具有一定的可见光光催化性能。然而，gC3N4在去除抗生素和染料方面的降解效率仍然存在不足，例如光生电荷的快速复合以及空穴的氧化能力弱等。为了优化这种有前景的光催化材料，人们尝试了多种方法来改善g-C3N4的电子能带结构，例如金属/非金属元素掺杂、形貌调控和官能团修饰等。最近，人们提出了由两种N型半导体光催化剂组成的梯形异质结理念，它可以利用半导体材料更正的价带和更负的导带。相关结果表明，构筑梯形异质结是提高g-C3N4光催化活性的最有效方法之一。因此，本文通过简单的原位溶剂热生长法制备了新型0D/2DBi4V2O11/g-C3N4梯形异质结光催化剂。Bi4V2O11/g-C3N4复合材料对去除土霉素(OTC)和活性红染料展示出了优异的光催化活性。尤其是BVCN-50复合材料对OTC和活性红的降解效率高达74.1%和84.2%，该过程的主要活性物种为·O2-。大幅增强的光催化性能归因于Bi4V2O11和g-C3N4之间形成的梯形异质结保持了光催化体系的强氧化还原能力(Bi4V2O11的强氧化能力和g-C3N4的强还原能力)，并促进了光生电荷的空间分离。此外，金属Bi0的表面等离子共振效应可以拓宽异质结系统的光吸收范围。此外，基于高效液相色谱-质谱联用(LC-MS)分析，我们研究了OTC降解过程中可能的中间体和降解路径。这项工作为设计和制备g-C3N4基梯形异质结用于抗生素和活性染料降解提供了一种新的策略。
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