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摘要
本发明公开了一种非对称侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管,包括垂直堆叠的纳米片沟道,包裹在沟道外的双层栅极氧化物,设于沟道两端的源和漏,设于源与栅极之间的双层侧墙,设于漏与栅极之间的栅极氧化物漏端延长区及双层侧墙,设置在底部的衬底。本发明特征是漏与栅极之间设双层侧墙,在双层侧墙下方设栅极氧化物漏端延长区,源与栅极之间仅设双层侧墙,从而构成非对称侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管。本发明与现有对称型技术相比,漏双层侧墙底部的栅极氧化物漏端延长区降低了器件寄生电容,源双层侧墙保证了栅电极对沟道中电荷的耦合,从而保证开态电流足够大。
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