使用真空共蒸发法沉积了Cd1-xZnxTe(CZT)多晶薄膜,在气相50%CdCl2+50%ZnCl2源以及气相ZnCl2源气氛下进行了不同温度、不同时间的退火处理,并对样品进行了X射线荧光(XRF)、扫描电镜(SEM)、透射谱和导电类型等性质测试。结果表明,使用50%CdCl2+50%ZnCl2混合源退火后,样品禁带宽度明显减小;使用ZnCl2源两步退火可得到膜面完整、晶粒显著增大以及禁带宽度无明显减小的CZT薄膜样品,退火温度及ZnCl2量对样品膜面形貌及电学性质有重要影响。
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