放电等离子烧结工艺合成Ti_3SiC_2材料

作者：周卫兵; 梅炳初; 朱教群

来源：材料科学与工程学报, 2008, (03): 353-356.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2008.03.029

• 铝
• Ti3SiC2
• 制备
• 放电等离子烧结 Al
• Ti_3SiC_2
• synthesis
• spark plasma sintering

以铝为助剂结合放电等离子烧结工艺,在较低温度下快速制备出高纯致密Ti3SiC2块体材料。掺加适量铝能加快Ti3SiC2的反应合成,提高制备材料的纯度,并促进Ti3SiC2晶体的生长和材料的快速烧结致密。在升温速率为80℃/min,z轴压力为30MPa时,材料制备的最佳温度为1250~1300℃。所制备材料经XRD、SME和EDS分析表明不含TiC和SiC等杂质相,Ti3SiC2为5~15μm的板状结晶,断裂韧性为6.8±0.2MPa.m1/2,弯曲强度为420±10MPa。

• 单位
  材料复合新技术国家重点实验室; 材料科学与工程学院; 武汉理工大学