摘要

全无机钙钛矿太阳电池在最近几年取得突飞猛进的进展,但较大的能量损失限制了其性能的进一步提升.本文对完成退火处理的CsPbBrI2薄膜使用旋滴的方法再次加入(NH4)2C2O4·H2O溶液,并进行二次退火处理,成功制备出具有微米级晶粒尺寸和低缺陷态浓度特征的钙钛矿薄膜,有效改善了薄膜中的载流子输运动力学过程,并减小了其理想因子.而且用这种方法制备的全无机钙钛矿太阳电池的能量损失仅为0.64 eV.相比之下,未处理薄膜制备出的器件能量损失高达0.80 eV.此外,处理后薄膜制备的器件在标准太阳光下的光电转换效率达到了16.55%(对应开路电压1.24 V),远高于参考器件的13.27%(开路电压仅为1.10 V).同时,处理后的器件在弱光条件下展示出出色的光电性能:在强度为1000 lux的荧光灯下获得了28.48%的光电转换效率(参考器件仅为19.0 5%).