ZnGeP_2的多晶合成与单晶生长研究

作者：赵欣; 朱世富; 赵北君; 陈宝军; 孙永强

来源：无机化学学报, 2009, 25(01): 99-103.

• 磷锗锌
• 改进垂直布里奇曼法
• 晶体生长
• 红外光谱 ZnGeP2
• MVBM
• crystal growth
• IR spectroscopy

采用富P配料工艺,通过改进的单温区合成法(MSTZM)合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料。用改进垂直布里奇曼法(MVBM)生长出尺寸为Φ20mm×30mm的ZnGeP2单晶体。经X射线衍射分析、红外光谱分析、ZC36高阻仪测试表明:晶体完整性好,具有黄铜矿结构,晶格常数a=b=0.5463nm,c=1.0709nm。晶体的透光范围为0.65～12.5μm。厚度为2mm的晶片在2～12μm范围内的平均红外透过率达55%以上,电阻率为6×107Ω·cm,计算2.05μm和10.6μm处的吸收系数分别为0.017cm-1和0.21cm-1。

• 单位
  四川大学; 材料科学与工程学院