密度泛函理论研究硫族元素取代对单层Ag2S结构和电子性质的影响(英文)

作者：曾薇; 洪丹; 刘正堂

来源：原子与分子物理学报, 2023, 40(04): 141-147.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2023.046002

• 第一性原理计算
• 形成能
• 电子性质

本文利用第一性原理计算讨论了硫族元素掺杂单层Ag2S的缺陷形成能和电子性质.缺陷形成能反映了在富Ag条件下的掺杂更容易.计算得到的带隙、Mulliken布居和态密度展示出了其相应结构的电子性质.与纯单层的Ag2S相比，Se/Te掺杂Ag2S后的带隙显示出其电导率变化不大.基于Mulliken原子和键布居，研究了硫族元素掺杂后Ag2S中的共价性.此外，通过讨论态密度，分析了能级的移动和电子的贡献.

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 成都中医药大学; 西南交通大学; 西北工业大学