SiC电力电子器件金属接触研究现状与进展

作者：黄玲琴; 朱靖; 马跃; 梁庭^*; 雷程; 李永伟; 谷晓钢^*

来源：Acta Physica Sinica, 2021, 70(20): 263-270.

• 碳化硅(SiC)
• 欧姆接触
• 肖特基接触
• 肖特基势垒调控

碳化硅(SiC)半导体具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异性能,在高温、高频、大功率、低功耗器件领域具有广阔的应用前景,因此,高效节能的SiC电力电子器件研究备受关注.然而,阻碍SiC器件发展应用的一个重要瓶颈是高性能的金属接触制备困难.本文通过对比分析SiC器件欧姆接触和肖特基接触制备的研究现状,揭示了金属/SiC接触界面特性复杂,肖特基势垒不可控等关键问题;对金属/SiC接触势垒及界面态性质的研究现状进行分析,强调了对界面势垒进行有效调控的重要意义;重点分析了近年来金属/SiC接触界面调控技术方面的重要进展,同时,对金属/SiC接触界面态本质及界面调控技术研究未来发展的方向进行了展望.

• 单位
  江苏师范大学; 自动化学院; 中北大学