科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
随着国内“双碳”战略的快速推进,特高压直流输电得到持续发展。为解决传统高压直流(HVDC)中存在的换相失败等问题,采用关断电流能力强的全控逆阻型IGCT(RB-IGCT),开发电流源型换流器(CSC)是最佳选择,而门极驱动器的性能直接影响到RB-IGCT器件性能的优劣。因此,此处主要针对RB-IGCT驱动器的关断电路,采用DirectFet替代塑封MOSFET,对环绕型RB-IGCT的印制电路板(PCB)布局进行优化,研究了DirectFet封装对电路杂散电感的影响。实测结果表明,与塑封MOSFET相比,采用DirectFet可以使关断回路的电流上升率提高26%,从而提升了IGCT的最大关断电流能力。
- 单位
