衬底温度对溅射法生长Cu-Al-O薄膜性能的影响

作者：兰伟; 董国波; 张铭; 王波; 严辉; 王印月

来源：稀有金属材料与工程, 2007, 36(z1): 921-924.

DOI：10.3321/j.issn:1002-185x.2007.z1.260

• Cu-Al-O薄膜
• 衬底温度
• 透过率
• 电导率

使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜.傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键.在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃～500℃时薄膜透过率在60%～70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52 eV和1.83 eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致.在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3 S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善.

• 单位
  北京工业大学