基于GaN HEMT的0.8～4.2GHz超宽带功率放大器的设计

作者：杨文琪; 钟世昌; 李宇超

来源：固体电子学研究与进展, 2017, 37(06): 375-378+383.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2017.06.001

• 超宽带功率放大器
• GaN高电子迁移率晶体管
• 内匹配 ultra wideband power amplifier
• GaN HEMT
• internal matching

阐述了基于GaN HEMT的超宽带功率放大器的设计与实现方法。采用低通L-C匹配网络消除虚部阻抗,并利用多节λ/4阻抗变换器实现宽带实阻抗到目标阻抗50Ω的匹配。测试结果表明,功放在32V漏电压、1ms周期、10%占空比及0.8~4.2 GHz频带内输出功率大于47dBm(50.1 W),最高输出功率为48.9dBm(77.6 W),带内饱和功率增益大于9dB,最大漏极效率为64%。实验测试结果与设计仿真结果符合良好,从而验证了设计方法的正确性。