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摘要
本发明涉及一种GaN HEMT功率半桥电路系统,包括：死区时间控制电路(1)、电平移位电路和上侧逻辑电路(2)、逻辑和控制电路(3)、高侧驱动(4)、低侧驱动(5)、电流检测电路(6)、高侧器件(7)、低侧器件(8)、二极管(D)、第一电容(C101)、电感(L)、第二电容(C102)和第一电阻(R101)。本发明实施例的GaN HEMT半桥电路系统在降低电路静态功耗的同时,提高电路性能,且具备防止高侧与低侧器件串通的保护电路系统功能；在提升半桥电路性能的同时,提升了电路的可靠性,降低了设备损坏的风险。
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