MgO和Si上NbN超薄薄膜的生长研究

作者：李阳斌; 康琳; 昌路; 吴培亨

来源：低温与超导, 2007, (06): 498-500+508.

DOI：10.16711/j.1001-7100.2007.06.017

• NbN
• 超薄薄膜
• 外延生长 NbN
• Nano-film
• Epitaxial growth

我们在单晶MgO(100)、Si(100)和SiOx/Si基片上成功生长了纳米厚度的超薄NbN薄膜,利用现代分析手段:X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)等技术分析研究了所制备的超薄NbN薄膜的微观结构、厚度、表面界面情况等物理特性。研究表明,在MgO(100)基片上获得了外延生长的单晶NbN超薄薄膜,在Si(100)和SiOx/Si基片上获得的是多晶NbN超薄薄膜。厚度均约6nm左右。这些超薄薄膜的超导转变温度分别为:MgO上薄膜是14.46K,Si和SiOx上薄膜分别是8.74K和9.01K.

• 单位
  南京大学