n⁺#Si/i#Ge/p⁺#Ge结构PIN光电探测器及其制备方法

作者：张洁; 宋建军; 包文涛

来源：2016-08-25, 中国, CN201610728893.0.

本发明涉及一种n+#Si/i#Ge/p+#Ge结构PIN光电探测器及其制备方法,该方法包括：选取P型Si衬底；生长Ge籽晶层；生长Ge主体层；生长Si层；将整个衬底材料加热至700℃,连续采用激光工艺晶化,激光波长为808nm,光斑尺寸10mm×1mm,功率为1.5kW/cm2,移动速度为25mm/s,形成晶化Ge层；淀积SiO2保护层；离子注入Si层形成N型掺杂区；在衬底表面淀积Al材料,以形成Ge#PIN光电探测器。本发明激光晶化工艺具有选择性高,控制精度准,晶化速度快,工艺步骤简单,工艺周期短,热预算低等优点；通过连续激光辅助晶化Ge/Si虚衬底,可有效降低位错密度和表面粗糙度；Si层不仅作为激光晶化Ge层的保护层,Si层磷离子注入后还可作为Ge#PIN光探测器的N区,简化了工艺步骤。

• 单位
  西安电子科技大学