铜-二氧化硅凝胶薄膜的电化学制备及其光学性能

作者：冯砚艳; 王星星; 辜敏

来源：电镀与涂饰, 2017, 36(09): 462-467.

DOI：10.19289/j.1004-227x.2017.09.005

• 二氧化硅溶胶
• 铜
• 复合薄膜
• 氧化铟锡
• 恒电位电沉积
• 循环伏安法
• 紫外-可见光谱
• 光学带隙

以CuCl2·2H2O和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,配制了透明稳定的Cu2+–SiO2复合溶胶。采用循环伏安法研究了Cu2+在该溶胶中的电化学性质,以恒电位法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面沉积了凝胶复合薄膜。采用扫描电镜、能谱、X射线衍射对复合薄膜进行了表征,以紫外-可见光谱测试了薄膜的线性光学性能。结果表明,控制电位在-0.240.2 V和负于-0.24 V(相对于饱和甘汞电极)可分别制备出Cu+–SiO2和Cu–SiO2凝胶薄膜,前者的平均光学带隙宽度(Eg)为1.94 e V,略高于后者的1.92 eV。由于Cu在溶胶中是连续成核,导致了Cu–SiO2凝胶薄膜中的Cu颗粒大小不均匀(在几十纳米至几微米之间),吸收光谱在400500 nm出现了Cu带间迁移的吸收峰。

• 单位
  煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室