三模冗余在高性能抗辐射DSP中的应用

作者：胡孔阳; 胡海生; 刘小明

来源：微电子学与计算机, 2019, 36(03): 58-60.

DOI：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2019.03.012

• 单粒子翻转
• DSP
• 存储器加固
• 自刷新
• 三模冗余

单粒子翻转(SEU,single event upset)是当高能粒子击中半导体元器件时,引起逻辑发生"0""1"改变,进而导致逻辑错误的现象.在诸如外太空等电磁辐射恶劣的环境中,芯片常常会受到SEU的破坏,由于高性能的DSP规模较大,这种情况发生的概率会更高.针对SEU发生的原理,在抗辐射DSP结构上可以采取多种加固技术.本文基于国产高性能DSP"魂芯"的架构,从可测性和工程性的角度出发,提出了对片上SRAM存储器的加固方案.通过对SRAM采用自刷新和三模冗余技术,可以对SEU进行有效的抑制.

• 单位
  中国电子科技集团公司第三十八研究所