基于PLP技术的DrMOS混合式互连封装工艺

作者：员展飞; 王希有; 曹思成; 杨道国^*

来源：电子元件与材料, 2021, 40(12): 1228-1233.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0496

• DrMOS
• 封装工艺
• 寄生电感
• 热阻
• 翘曲

目前商用DrMOS多采用引线键合方式互连,然而引线键合会产生大量寄生电感,生产效率低。针对上述问题,应用面板级封装(PLP)技术,提出一种DrMOS混合式互连封装工艺。分别建立混合式互连工艺与引线键合工艺封装体模型,通过有限元软件ANSYS相应计算模块进行电参数提取、散热能力分析、热应力与翘曲验证。仿真结果表明,同引线键合封装工艺相比,采用混合式互连工艺封装的器件上管MOSFET(HSMOS)源极电感降低53.5%,下管MOSFET(LSMOS)源极电感降低65.49%;混合式互连工艺模型热阻降低0.13℃/W;封装在塑封工序与回流焊工序的封装翘曲值分别为23.159μm与8.5672μm,均符合工艺设计要求。实现了一种电性能优异、散热能力良好的封装工艺,为DrMOS混合式封装工艺设计提供参考。

• 单位
  机电工程学院; 桂林电子科技大学