为应对星用电子装备对器件可靠性不断提高的需求、进一步提高高压NPN型功率晶体管的抗辐照能力，对高耐压大功率晶体管3DD155K进行了抗辐照加固设计。设计基于辐照效应对双极型器件的主要损伤机理，综合考虑产品芯片横、纵向结构参数及制造工艺等因素，在满足高耐压与高放大倍数指标前提下，选择合适的高阻层电阻率及厚度，设计适当的基区宽度、浓度及发射区尺寸等，加强复合型表面钝化层在提高抗辐照能力方面的作用。经实验，改进设计后的产品能够在星用场合下实现稳定可靠的运行。
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