水系蚀刻聚酰亚胺

作者：汤嘉陵; 王惟; 顾宜

来源：四川大学学报(工程科学版), 2005, (02): 43-46.

DOI：10.15961/j.jsuese.2005.02.009

• 聚酰亚胺
• 丙烯酸光致抗蚀干膜
• 化学蚀刻 polyimide
• acrylic acid dry film photoresist
• chemical etching

以普通丙烯酸光致抗蚀干膜为抗蚀层,采用对该抗蚀层进行二次UV曝光新工艺。分别以1%、4%的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液为显影液和蚀刻液,实现了不同体系PAA胶膜的水系蚀刻,最终制备出膜厚为20～25μm,蚀刻精度达线宽/线距=60μm/60μm的聚酰亚胺(PI)蚀刻图膜。三乙胺的加入可有效抑制PAA降解,将PAA胶液室温有效存放期从7d以内延长至14d以上,且对化学蚀刻PI蚀刻图膜的力学性能无负面影响。该工艺路线、通用性好,且经济、环保。