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摘要
210 mm大尺寸硅片已成为光伏行业的发展主流，但相比158 mm、166 mm的硅片，对采用210 mm大尺寸硅片的晶体硅太阳电池扩散工艺的研究尚处于探索阶段。研究了炉尾温度、工艺压力、进气口与石英舟端板距离、快速降温等因素对210 mm大尺寸硅片在低压扩散工艺后的方阻及制备的PERC晶体硅太阳电池良率的影响。研究结果表明：低压扩散工艺中大尺寸硅片方阻对炉尾温度、工艺压力更为敏感；增大进气口与石英舟端板距离能够有效解决炉口硅片方阻过高及过抛的问题；快速降温在提升工艺降温速率及缩短工艺时间的同时，不会影响扩散工艺效果。
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