摘要
通过铝诱导晶化非晶硅(Aluminum-Induced Crystallization,AIC)制备的多晶硅薄膜具有较高的铝掺杂浓度(2×1018cm-3),不适宜作为薄膜太阳能电池的吸收层.我们提出了QCGE AIC法,即:硅原子的快速扩散;冷却成核;晶粒的慢速生长;铝原子的向外扩散.通过精确控制AIC过程中退火温度及模式制备了掺杂率为2×1016cm-3的高品质多晶硅薄膜.二次离子质谱(Secondary-Ion-mass Spectroscopy,SIMS)结果表明:制备多晶硅薄膜中铝残留浓度依赖于退火的温度模式;霍尔效应测试结果表明:制备多晶硅薄膜的掺杂率依赖于退火的温度和退火模式;拉...
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单位兰州交通大学; 国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心