太阳能电池用低掺杂率多晶硅薄膜的制备

作者:王成龙; 范多旺; 王成兵; 耿中荣; 马海林; 苗树翻
来源:中国科学:物理学 力学 天文学 , 2010, (02): 219-223.

摘要

通过铝诱导晶化非晶硅(Aluminum-Induced Crystallization,AIC)制备的多晶硅薄膜具有较高的铝掺杂浓度(2×1018cm-3),不适宜作为薄膜太阳能电池的吸收层.我们提出了QCGE AIC法,即:硅原子的快速扩散;冷却成核;晶粒的慢速生长;铝原子的向外扩散.通过精确控制AIC过程中退火温度及模式制备了掺杂率为2×1016cm-3的高品质多晶硅薄膜.二次离子质谱(Secondary-Ion-mass Spectroscopy,SIMS)结果表明:制备多晶硅薄膜中铝残留浓度依赖于退火的温度模式;霍尔效应测试结果表明:制备多晶硅薄膜的掺杂率依赖于退火的温度和退火模式;拉...