中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备

作者：方攀; 袁泽锐; 陈莹; 尹文龙^*; 康彬^*

来源：人工晶体学报, 2020, 49(05): 771-773.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2020.05.002

• 中红外激光晶体
• Dy:PbGa2S4单晶
• 竖直梯度冷凝法
• 晶体生长

镝掺杂硫镓铅(Dy∶PbGa2S4,Dy∶PGS)晶体是一种性能优良、具有潜在应用价值的中红外激光介质材料。为推动该晶体的实用化研究,迫切需要制备出大尺寸高品质Dy∶PGS单晶。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成Dy∶PbGa2S4多晶,单次合成量达到230 g;首次采用竖直梯度冷凝法制备该晶体并成功生长出大尺寸高质量Dy∶PbGa2S4单晶,尺寸达到?27 mm×100 mm;通过切割和抛光等处理工艺,成功加工出Dy∶PbGa2S4晶体器件,为下一步的激光应用研究打下了坚实基础。

• 单位
  四川省新材料研究中心; 中国工程物理研究院化工材料研究所; 中国工程物理研究院