堇青石基体化学气相沉积碳化硅薄膜及其性能表征

作者：尹博文; 杨艳; 马兵; 张伟刚

来源：过程工程学报, 2008, (03): 589-594.

• 化学气相沉积
• β-SiC
• 堇青石
• 表征 chemical vapor deposition
• β-SiC
• cordierite
• characterization

采用等温等压化学气相沉积技术,分别以CH3SiCl3-H2和SiCl4-CH4-H2为气源,在沉积温度1100和1000℃、压力101kPa条件下,制备了SiC薄膜.利用SEM和XRD、显微拉曼光谱、EDAX元素分析、HRTEM等测试技术对沉积薄膜的结构和组成进行了表征.结果表明,1100℃时,以CH3SiCl3-H2为气源沉积得到纯净的SiC薄膜,以β-SiC(111)面择优定向生长,由微米级的金字塔锥形结构组成,硅含量随着沉积温度降低而增加;以SiCl4-CH4-H2为气源沉积得到非晶态碳掺杂的SiC薄膜,碳含量随着沉积温度降低而增加.此外,以CH3SiCl3-H2为气源沉积的SiC颗粒平...

• 单位
  中国科学院研究生院; 多相复杂系统国家重点实验室; 中国科学院过程工程研究所