Zn空位缺陷ZnS的电子状态、磁性质与光学性质研究

作者：韦树贡; 房慧^*; 王如志; 李凡生; 黄灿胜; 郝五零; 孙毅

来源：量子电子学报, 2018, 35(04): 507-512.

• 材料
• ZnS
• Zn空位缺陷
• 磁性
• 光学性质

基于密度泛函理论第一性原理,研究了Zn空位缺陷对ZnS半导体材料电子状态、磁性质和光学性质的影响.结果表明Zn空位缺陷浓度为6.25%时,ZnS半导体材料仍呈直接带隙型能带结构,带隙较本征ZnS半导体增大了6.4%,达到2.19 eV.缺陷体系s态、p态电子主要在距离费米能量较近的区域产生能带,数量较少;Znd态电子主要在距离费米能量较远的区域产生能带.Zn空位缺陷对ZnS半导体材料是一种空穴型掺杂,Zn空位会增加ZnS的空穴型载流子浓度.其价带空穴具有较大有效质量,导带电子具有较小有效质量,Zn空位缺陷ZnS不显示磁性.Zn空位缺陷ZnS半导体材料210 nm附近介电吸收峰强度降低,170 nm附近介电吸收峰消失,100 nm波长附近出现了较弱的介电吸收峰.

• 单位
  数学学院; 电子工程学院; 昌吉学院; 云南师范大学; 广西民族师范学院; 北京工业大学