氮化硅基防静电陶瓷球的制备及其性能评价

作者：张晶; 王文雪; 孙峰; 张明帅; 张伟儒

来源：轴承, 2023, (11): 67-72.

DOI：10.19533/j.issn1000-3762.2023.11.013

• 滚动轴承
• 球轴承
• 氮化硅陶瓷
• 氮化钛
• 力学性能
• 导电性

以TiN作为导电添加相，成功制备出Si3N4基防静电陶瓷球，研究了TiN对Si3N4基陶瓷球致密化、显微结构、力学性能及电阻率的影响。结果表明：大量TiN的加入阻碍了Si3N4的致密化，降低了Si3N4基陶瓷的抗弯强度、维氏硬度和电阻率，提高了其断裂韧性；与加入微米级TiN的试样相比，加入相同含量纳米级TiN试样的各项性能更优；纳米级TiN质量分数30%的陶瓷球不仅具有防静电功能，且综合力学性能最佳，其维氏硬度、断裂韧性和压碎强度分别为(1 482±15)HV10,(8.2±0.1)MPa·m1/2,(417±10)MPa。

• 单位
  中国航发哈尔滨轴承有限公司