基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动设计

作者：邵天骢^*; 郑琼林; 李志君; 李虹; 刘建强

来源：电工技术学报, 2021, 36(20): 4204-4214.

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.210260

• SiC MOSFET
• 驱动设计
• 栅源电压干扰
• 动态响应

目前碳化硅(SiC)MOSFET大多沿用Si MOSFET和IGBT的驱动设计方法。然而,由于SiC MOSFET相比Si器件具有更高的开关速度,因而栅极内阻、驱动回路电感和功率回路电感导致的栅源电压干扰情况也值得探索。该文分析栅源电压干扰产生的过程,进而归纳提炼出一种基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动参数标幺化设计方法。从开关结电容的等效电路出发,推导出功率回路和驱动回路的传递函数,基于驱动和功率双回路传递函数,研究揭示栅源电压的干扰动态响应机理。进而,引入标幺化的参数表达形式,以标准量化驱动参数对于栅源电压干扰传导路径的影响,提出基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动设计原则。最后,搭建双脉冲实验平台,验证该驱动设计原则的合理性。

• 单位
  北京交通大学