具有超均匀和高度有序量子点单层的高效量子点发光二极管（英文）

作者：赵等临; 郑悦婷; 孟汀涛; 朱阳斌; 井继鹏; 陈祥; 高宏锦; 毛超民; 郑文晨; 胡海龙; 郭太良; 李福山^*

来源：Science China-Materials, 2022, 65(03): 757-763.

• quantum dots
• Langmuir-Blodgett
• quantum dot light-emitting diodes

对于采用旋涂法制备量子点层的传统量子点发光二极管(QLEDs)而言,由于量子点有序性低,量子点薄膜不可避免地出现空隙,导致器件在偏压下产生漏电流.本研究中,我们利用Langmuir-Blodgett(LB)技术制备了超均匀、高度有序的量子点单层,并且采用水平提拉法(HL)将量子点单层作为发光层转移到红色QLEDs上,器件表现出了高性能,其外量子效率(EQE)为19.0%,寿命(T95@100 cd m-2)为13,324 h.由于致密有序的量子点单层减少了漏电流, EQE和寿命分别提高了15%和183%.此外, LB技术是一种无有机溶剂气氛的方法,避免了层间互溶,同时也可以精确控制量子点薄膜的厚度,因此所制备的叠层白光QLEDs可以在4 V的低电压下获得白光.最后,我们成功地在9 cm×5 cm的矩形基板上制备了超均匀大面积量子点单层,表明LB-HL方法具有良好的尺寸可扩展性.

• 单位
  福州大学