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摘要
本发明公开了一种任意衬底上单晶AlN薄膜体声波谐振器及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：在第一衬底上形成二维材料,然后在二维材料衬底上生长第一金属电极,在第一金属电极上形成单晶AlN压电材料,在压电材料上表面形成第二金属电极,然后将谐振器与衬底机械剥离并转移到任意衬底上面,得到单晶AlN薄膜体声波谐振器。采用该方法制备得到的基于单晶AlN压电堆叠结构可用于薄膜体声波谐振器的制备中,单晶AlN薄膜在压电性能上优于目前薄膜体声波谐振器中应用到的多晶AlN压电薄膜,从而提高器件的品质因数和有效机电耦合系数。同时避免了单晶AlN谐振器对衬底的严格要求。
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