PVT法碳化硅单晶生长系统的电磁学模型及其有限元分析

作者：孟大磊; 徐昊; 王玉芳

来源：化学工程与装备, 2009, (07): 13-16.

• SiC晶体
• 物理气相输运法
• 磁矢势
• 有限元素法
• 热功率密度

本文从物理气相输运法生长碳化硅单晶的实际装置出发,对系统中的电磁感应部分建立模型,采用有限元素法对矢势进行数值分析,进而给出系统各处的焦耳热功率密度。通过分析比较发现:在5-40kHz频率范围内,电流密度相同,较高的激励电流频率所产生的热功率密度更大,从而有利于系统内能的积聚。

• 单位
  南开大学