掺锗提高VO2薄膜的相变温度机理研究

作者：崔景贺; 蒋权伟; 高忙忙; 梁森^*

来源：人工晶体学报, 2022, 51(04): 666-672.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2022.04.009

• 二氧化钒
• 薄膜
• 相变温度
• 二氧化锗
• 晶格畸变
• 电学性能
• V-V二聚体

二氧化钒(VO2)作为一种长久以来备受关注的新型可逆相变材料，发展潜力巨大，其相变温度(TMIT)的调控一直是研究热点。本文主要利用锗离子作为掺杂离子探索其对VO2薄膜TMIT的影响，并尝试解释其内部作用机理。在约1 cm2大小抛光的氧化铝薄片上沉积了一系列含不同比例锗离子VO2薄膜。研究发现锗离子作为掺杂离子确实有利于TMIT的提高(本课题TMIT最大可达84.7℃)。TMIT提高的主要原因是锗离子的引入能够强化单斜态V-V二聚体的稳定性，进而增强单斜态的稳定性，使得低温单斜态向四方金红石态转变更加困难。

• 单位
  宁夏大学