本发明公开一种量子点超晶格光电探测器。该光电探测器自下而上依次包括：衬底；光敏层,其包括设置在所述衬底上的两层二维材料及其上方的量子点超晶格；金属电极层,包括源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极形成沟道。所述二维材料与所述量子点超晶格材料形成异质结,所述源电极和所述漏电极被配置为使电流能够通过所述光敏层,所述量子点超晶格被配置为在暴露于入射电磁辐射时产生电子-空穴对以产生可检测的变化电流。本发明可以提高器件的电学性能,增强电荷转移,响应速度更快。
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