摘要
用高温固相反应法合成了微米级KTP晶体,用偏光显微镜对其形貌进行了表征,用XRD对烧成产品的物相进行了系统的分析,用最小二乘法对样品的晶胞参数进行了计算,系统分析了KTP晶体晶胞参数与合成温度的关系,在烧成温度为1000℃时,KTP的晶体为斜方晶系,晶胞参数为:a_0=10.587(3)(?),b_0=12.814(3)(?),c_0=6.404 (2)(?),V=868.7(3)(?)~3。晶体的实测面网间距与计算值的标准偏差为0.00335,合成的KTP晶体的结晶程度较高。
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单位地质过程与矿产资源国家重点实验室