无片外电容LDO的研究与发展

作者:姚若河; 王超; 邝国华
来源:中国集成电路, 2018, 27(03): 30-38.
DOI:10.3969/j.issn.1681-5289.2018.03.006

摘要

SoC系统集成芯片的发展增加了对于无片外电容LDO的需求,而无片外电容LDO无法利用片外电容固定主极点以及片外电容与ESR电阻产生补偿零点,也无法利用片外电容为其提供负载电流瞬态变化时的充放电电流,稳定性和瞬态特性成为了无片外电容LDO首要解决的问题。文章分析了无片外电容LDO的稳定性和瞬态特性设计难点,回顾了无片外电容LDO关于提高稳定性和快速瞬态响应能力的最新研究成果,并对LDO的发展进行了展望。

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