具有非平面栅极配置的高电流MoS2晶体管(英文)

作者：林均; 王滨; 杨振宇; 李国立; 邹旭明; 柴扬; 刘兴强^*; 廖蕾^*

来源：Science Bulletin, 2021, 66(08): 777-782.

减小沟道材料的厚度并针对栅极结构进行合理设计,有利于增强短沟道场效应晶体管的栅极控制能力.二维半导体具有优异的电学性能,其原子级别的厚度可以实现较强的栅极耦合效果.我们研制了具有Ω型非平面栅极结构的Mo S2晶体管,实现了局部栅极耦合效应的增强, Mo S2顶栅晶体管的跨导达到32.7μS/μm,饱和电流高达0.89 A/μm.在此基础上,我们设计了非门反相器,其电压增益为26.6,噪声迁移达到89%,与非门器件实现了基本的逻辑功能.本文为研制高性能二维半导体场效应晶体管提供了新思路.

• 单位
  化学生物传感与计量学国家重点实验室