用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性

作者：王加鑫; 李晓静; 赵发展; 曾传滨; 李博; 韩郑生; 罗家俊

来源：半导体技术, 2021, 46(03): 210-215.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.03.007

• 静电放电(ESD)
• 绝缘体上硅(SOI)
• NMOSFET
• 高温
• 传输线脉冲(TLP)

研究了基于0.18μm部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS器件的高温特性。借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD防护器件在30～195℃内的ESD防护特性进行了测试。讨论了温度对ESD特征参数的影响,发现随着温度升高,该ESD防护器件的一次击穿电压和维持电压均降低约11%,失效电流也降低近9.1%,并通过对器件体电阻、源-体结开启电压、沟道电流、寄生双极结型晶体管(BJT)的增益以及电流热效应的分析,解释了ESD特征参数发生上述变化的原因。研究结果为应用于高温电路的ESD防护器件的设计与开发提供了有效参考。

• 单位
  中国科学院微电子研究所; 中国科学院大学