高介电常数HfO_2栅介质的制备及性能

作者：薛原; 徐赛生; 董琳; 丁士进; 张卫

来源：半导体技术, 2009, 34(02): 127-130.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2009.02.020

• 氧化铪
• 介质材料
• 原子层淀积

氧化铪(HfO2)介质材料是目前用来取代SiO2的最有前途材料之一。介绍了HfO2的制备方法,对几种制备方法进行了比较,并分析了各种制备方法的优缺点。比较了HfO2介质材料的电学性能、热稳定性能及可靠性能,综述了HfO2介质材料的前景,指出原子层淀积(ALD)是制备HfO2介质材料的最好方法之一。

• 单位
  复旦大学