SiGe合金半导体中自间隙缺陷和两种碳相关缺陷的计算研究

作者：杨福华; 谭劲; 周成冈; 凌芝

来源：稀有金属, 2009, (03): 343-347.

• Si1-xGex合金
• 从头计算法
• W缺陷
• 碳相关缺陷

采用从头计算(abinitio)的方法对比研究了Si1-xGex合金半导体材料中W缺陷、CiCs缺陷和CiOi缺陷的性质。在Si1-xGex合金中,Ge原子不能与缺陷核心的C原子和O原子直接成键,但可能与W缺陷核心的间隙Si原子相连。在含CiOi缺陷的晶胞中,Ge原子倾向于取代沿[110]伸长方向的Si原子。随着合金中Ge含量的升高,W缺陷的形成能不断增加,结构稳定性逐渐降低。与W缺陷不同的是,CiCs缺陷和CiOi缺陷在不同Ge含量的Si1-xGex合金中形成能变化较小,变化幅度在0.15eV以内,理论研究结果与前人的实验结果相吻合。