我们研究了高压对MgB2块材超导的超导转变温度Tc、临界电流密度Jc、不可逆场Hirr以及钉扎机制的影响。结果显示压力降低了样品的Tc和Jc,使不可逆线向低场移动。更有趣的是压力使样品中主要的钉扎机制由δTc转变为δ?钉扎,即由于缺陷密度的分布导致电子运动的平均自由程在空间的涨落钉扎。另外,通过磁弛豫的测量,结果显示压力加快了磁通的蠕动,降低了有效钉扎能和Jc,磁通束尺寸的大小变化不大。