具有高稳定度的低压带隙基准源

作者：汪振民; 杨光

来源：微波学报, 2020, S1: 246-249.

• 互补型金属氧化物半导体
• 带隙基准源
• 电源抑制比

提出了一种采用0.18μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计的带隙基准源电路,该电路具有低压输出、高稳定度和高电源抑制比的特点。利用运算放大器的钳位功能,提高带隙基准源的稳定度。电路的仿真结果表明:常温时,基准电压输出为0.496V;在典型工艺角下,-45℃到125℃温度变化范围内,带隙基准源的温度系数约为21.2ppm/℃;1MHz频率范围内,电源抑制比(PSRR)达到80dB。可以广泛运用于高速高精度集成电路模块。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十四研究所