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摘要
本文利用计算机辅助设计（Technology Computer Aided Design，TCAD）软件针对N型阱电阻的单粒子效应开展了仿真研究，结果表明单个重离子入射到N阱电阻中会造成器件输出电流的扰动。经过对电阻的工作机理和单粒子效应引入的物理机制进行分析，结果表明重离子在N阱电阻中产生的电子-空穴对中和了N阱电阻中的空间电荷区，使得N阱电阻的阻抗瞬间减小、电流增加，且空间电荷区被破坏的面积越大瞬态电流的峰值越高。随着阱结构中的高浓度过剩载流子被收集，单粒子效应的扰动会消失。但N阱电阻独特的长宽比设计导致器件中的过剩载流子收集效率低、单粒子效应对阱电阻的扰动时间长。文中还对影响N阱电阻单粒子效应的其他因素开展了研究，结果表明重离子的线性能量传输（Linear Energy Transfer，LET）值越高、入射位置距离阳极越远，N阱电阻的单粒子效应越严重。此外，适当缩短N阱电阻的长度、提高阱电阻的输入电压、降低电路电流可以增强其抗单粒子效应表现。
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单位材料科学与工程学院; 湘潭大学
