CZT单晶生长过程中的Zn分凝现象研究

作者:李新磊; 赵北君; 朱世富; 邱春丽; 王智贤; 丁群; 何知宇; 陈宝军
来源:半导体技术, 2008, 33(S1): 376-378+382.
DOI:10.13290/j.cnki.bdtjs.2008.s1.021

摘要

采用改进的Bridgman法生长出Φ20mm×40mm、外表无裂纹的Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体。沿晶锭轴向每隔1.2cm取点,进行EDX、XRD测试。在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值发生了偏离,随晶体生长过程呈现递减趋势,分析表明是由于Zn的分凝所引起。对XRD粉末衍射测试的结果进行结构分析,计算出上述不同位置的晶胞常数变化规律呈现递增趋势,表明Zn含量呈现递减趋势,与EDX实验结果一致。

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