非对称结构大功率940nm量子阱激光器

作者：蒋锴; 李沛旭; 张新; 汤庆敏; 夏伟; 徐现刚

来源：强激光与粒子束, 2014, 26(05): 116-120.

• 量子阱激光器
• 大功率
• 非对称结构
• InGaAs/GaAs
• 金属有机物化学气相沉积

为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长技术,获得了低内吸收系数的高质量外延材料,通过实验数据计算得到激光器材料内吸收系数仅为0.44mm-1。进而通过管芯工艺制作了条宽100μm、腔长2000μm的940 nm半导体激光器器件。25℃室温10 A直流连续(CW)测试镀膜后器件阈值电流251 mA,斜率效率1.22 W/A,最大输出功率达到9.6 W,最大光电转化效率超过70%。

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室; 山东华光光电子有限公司