一种采用MOCVD设备制备硫化钼二维材料的方法

来源：中国钼业, 2022, 46(05): 13.

<正>专利申请号：CN201911065724.3公开号：CN110655111A申请日：2019.11.04公开日：2020.01.07申请人：浙江大学本发明公开了一种采用MOCVD设备制备硫化钼二维材料的方法，在Sapphire衬底上多步生长MoS2二维材料，包括：采用Sapphire作为衬底；将Sapphire衬底传送至MOCVD设备内；