基于SRL结构的抗辐射SRAM单元设计

作者：武书肖; 李磊; 任磊

来源：微电子学, 2016, 46(06): 796-800.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.06.017

• SRAM
• 抗辐射
• 自恢复逻辑
• 单粒子翻转
• Muller C单元

在空间辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响了SRAM的可靠性,对航天设备的正常运行构成极大的威胁。提出了一种基于自恢复逻辑(SRL)结构的新型抗辐射SRAM单元,该单元的存储结构由3个Muller C单元和2个反相器构成,并采用读写线路分开设计。单粒子效应模拟实验结果表明,该单元不仅在静态存储状态下对SEU效应具有免疫能力,在读写过程中对SEU效应同样具有免疫能力。

• 单位
  电子科技大学