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摘要
在有机发光二极管(OLEDs)30多年的发展过程中,器件结构设计和功能材料开发是实现器件高效率发光的关键。倒置结构器件被认为是实现OLEDs器件高效率、长寿命的一种可行方案。但倒置器件以ITO为阴极造成了器件电子注入势垒过大,限制了倒置器件的进一步发展。本文以实现倒置器件电子注入原理的不同,分别介绍了n型掺杂、偶极层修饰和隧穿注入等方法在提高ITO阴极电子注入性能的相关研究工作。最后,对提高倒置器件电子注入性能的3种不同策略进行了总结和展望。
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在有机发光二极管(OLEDs)30多年的发展过程中,器件结构设计和功能材料开发是实现器件高效率发光的关键。倒置结构器件被认为是实现OLEDs器件高效率、长寿命的一种可行方案。但倒置器件以ITO为阴极造成了器件电子注入势垒过大,限制了倒置器件的进一步发展。本文以实现倒置器件电子注入原理的不同,分别介绍了n型掺杂、偶极层修饰和隧穿注入等方法在提高ITO阴极电子注入性能的相关研究工作。最后,对提高倒置器件电子注入性能的3种不同策略进行了总结和展望。
