InGaAsSb/AlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计

作者：徐刚毅; 李爱珍

来源：Acta Physica Sinica, 2004, (01): 218-225.

• 长波长量子阱激光器
• 能带结构
• 增益谱 long wavelength quantum well lasers
• band structure
• gain spectrum

系统地研究了波长为 2 7μm的InGaAsSb AlGaAsSb多量子阱激光器中有源区的优化设计 .分别用含应变势的 6带KP模型和抛物带模型计算价带和导带的能带结构 ,并得到薛定谔方程和泊松方程的自洽解 ,由此计算量子阱在载流子注入时的增益谱 .研究表明制约量子阱增益的主要因素不是跃迁矩阵元 ,而是粒子数反转程度 ,尤其是空穴填充HH1子带的概率 .增加压应变或减小阱宽都会提高量子阱增益 .前者降低了价带HH1子带空穴的平面内有效质量 ;后者拉大了价带子带间距 ,尽管它同时略微增加了空穴有效质量 .这两种因素都导致价带顶空穴态密度的降低 ,提高了空穴在HH1子带的填充概率 ,最终提高了量...