陶瓷基片表面Au/电阻复合厚膜烧结起泡及其消除

作者:朱文丽; 刘俊夫; 董永平; 卫敏; 汤文明*
来源:电子元件与材料, 2019, 38(12): 54-61.
DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.12.010

摘要

针对以国内新研发的Au导体浆料与电阻浆料在Al2O3基片表面印制的Au导体/电阻复合厚膜烧结易起泡的现象,在探明起泡原因的基础上,研究了烧结温度、升温速率以及Au层厚度对复合厚膜起泡的影响,进一步优化厚膜工艺,制备出无起泡的复合厚膜。研究表明,烧成温度过高导致的玻璃相浮于复合膜层表面并结晶,烧结过程不充分和Au层厚度不足等导致不能在陶瓷基片/Au层界面形成连续的玻璃相粘结层,界面结合强度大大降低,在陶瓷基片/Au层界面易起泡。在烧结峰值温度为825℃,升温速率为40℃/min,Au导体层厚度为10μm的工艺条件下,复合厚膜与陶瓷基片结合紧密,无起泡现象。