基于多场耦合计算的气体绝缘开关设备母线接头过热性故障分析

作者:孙国霞; 关向雨; 金向朝; 谢志杨; 舒乃秋; 孔令明
来源:高电压技术, 2014, 40(11): 3445-3451.
DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.2014.11.021

摘要

为了研究气体绝缘开关设备(GIS)母线接头的过热性故障形成机理,基于多场耦合有限元法建立了GIS梅花接头温升计算模型。该模型通过对结构场分析计算触指与导体间的接触电阻(ECR)与接触热阻(TCR),运用电流传导分析计算了功率损失并作为热源代入温度场计算接头温升。进行了稳态电流温升实验,验证了所提出计算模型的有效性。基于该模型分析了导体插入深度与短路负荷电流对GIS母线接头温升的影响,结果表明短路负荷电流由于作用时间短而不会造成母线接头的热损伤,导体对接深度不足引起的接触点异常温升是导致GIS母线接头过热性故障的直接原因。

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