101.6 mm(4英寸)0.7μm InP HBT工艺及其应用

作者：戴鹏飞^*; 李征; 戴姜平; 常龙; 姚靖懿; 程伟; 任春江

来源：固体电子学研究与进展, 2019, 39(04): 301-305.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.04.014

• 磷化铟异质结双极晶体管
• 制造工艺
• 高集成度
• 多层布线

报道了采用多层布线的101.6 mm(4英寸)0.7μm InP HBT圆片工艺。器件工艺中台面均采用湿法腐蚀工艺,结合自对准光刻和BCB互联平坦化工艺,并集成了金属薄膜电阻和MIM电容。研制得到的0.7μm InP HBT器件电流增益截止频率(fT)为330 GHz,最大振荡频率(fmax)为300 GHz,可满足100 GHz以下各频段的混频、倍频、放大等微波集成电路以及20 GHz以下数模混合集成电路的设计需求。