科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
多芯片绝缘栅极双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor， IGBT)模块被广泛应用于大功率变换器中，对其进行状态监测是一种可以有效提高电力设备可靠性的方法。本文提出了一种基于开通延时变化的多芯片IGBT模块部分芯片故障检测方法，文中首先分析了芯片失效对开通过程的影响，指出了芯片失效与开通延时的关系。然后，基于开通延时与失效芯片数的映射关系提出了对应的故障监测方法，并通过实验验证了方法的有效性。实验结果表明该方法可用于多芯片模块的健康状态监测，对提高变流器的运行可靠性具有重要意义。
-
单位国网重庆市电力公司; 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室; 重庆大学
